MIB30N65AT1Y-TP

部品番号:
MIB30N65AT1Y-TP
Other Part Numbers:
-
説明:
IGBT DISCRETE,D2-PAK
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
グレード -
認定 -
コレクタ電流 (Ic) (最大) 40 A
输入类型 Standard
パッケージ / ケース TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
ゲートチャージ 160 nC
電流 - コレクタパルス (Icm) 60 A
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
IGBTタイプ Trench Field Stop
パワー - 最大 136 W
逆回復時間(trr) 114 ns
Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 1.95V @ 15V, 30A
スイッチングエネルギー 1.37mJ (on), 0.63mJ (off)
Td (オン/オフ) @ 25°C 58ns/93ns
試験条件 400V, 30A, 20Ohm, 15V