MIP50R12E2TN-BP

部品番号:
MIP50R12E2TN-BP
Other Part Numbers:
-
説明:
IGBT MODULES
Datasheet:
-

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ -
パッケージ / ケース Module
IGBTタイプ -
電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクタ遮断(最大) 1 mA
コンフィギュレーション Three Phase Inverter
输入 Three Phase Bridge Rectifier
NTCサーミスタ Yes
コレクタ電流 (Ic) (最大) 35 A
パワー - 最大 227 W
Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 1.95V @ 15V, 35A
入力容量(Cies)@ Vce 2000 pF @ 25 V