RGT8NS65DGC9

部品番号:
RGT8NS65DGC9
メーカー:
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
説明:
IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
Datasheet:
-

Product Attributes

実装タイプ Through Hole
部品ステータス Active
输入类型 Standard
スイッチングエネルギー -
コレクタ電流 (Ic) (最大) 8 A
逆回復時間(trr) 40 ns
パッケージ / ケース TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ TO-262
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
パワー - 最大 65 W
電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
IGBTタイプ Trench Field Stop
電流 - コレクタパルス (Icm) 12 A
Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 4A
ゲートチャージ 13.5 nC
Td (オン/オフ) @ 25°C 17ns/69ns
試験条件 400V, 4A, 50Ohm, 15V